LG-100 系列

激光气体分析仪

通过 HORIBA 独特的内置 IRLAM 红外气体分析技术支持半导体的先进制造工艺
 

激光气体分析仪 LG-100 系列可以实时测量分压*1四氟化硅 （SiF4） 在半导体制造中使用的蚀刻过程中产生。这些更改使制造商能够确定蚀刻是否已达到允许的深度（端点*2).LG-100 降低了蚀刻不足和过度蚀刻的风险，并有助于在制造半导体时提高生产力和良率。

先进的逻辑半导体需要更复杂的传感技术。HORIBA STEC 继续拓宽多组分气体分析，提高响应速度，并以其他方式扩展 LG-100 功能，从而在不断发展的半导体制造过程中提高生产力，以生产这些最先进的半导体。展望未来，我们将继续通过扩展内置 IRLAM 技术的产品来响应不同的客户需求。

• 高灵敏度/高速测量蚀刻工艺产生的废气成分
• 通过气体成分的变化检测过程终点
• 适用于非等离子体应用
   
• IRLAM™（红外激光吸收调制）是 HORIBA 最初于 2021 年开发的下一代红外气体分析技术。LG-100 配备了 IRLAM，™可实现 ppb 级痕量气体的高灵敏度和快速（0.1 秒）测量。

使用各种气体在电路板上雕刻电路的蚀刻工艺需要对这些气体进行精确控制和测量，并演变为三维结构并改进现代半导体器件。这就是为什么在最佳终点停止蚀刻过程以提高产量变得更加重要的原因。为了满足这些类型的蚀刻需求，HORIBA STEC 开发了 LG-100 作为一种可以在蚀刻过程中实时测量气体分压的设备。